TIGW50n65h5
Symbol Micros:
TIGW50n65h5
Gehäuse: TO247
IGBT 650V 80A 305W
Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
| Ic strom im Impuls: | 150A |
| Leistung: | 305W |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW50N65H5FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
138 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8466 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGW50N65H5FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
129 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0403 |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
| Ic strom im Impuls: | 150A |
| Leistung: | 305W |
| Spannung [UCE]: | 650V |
| Spannung [Uge]: | 20V |
| Strom [Ic]: | 80A |
| Transistor-Typ: | IGBT |
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