IGW60T120
Symbol Micros:
TIGW60t120
Gehäuse: TO247
IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1
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Parameter
Gate-Ladung: | 280nC |
Maximale Verlustleistung: | 375W |
Max. Kollektor-Strom: | 100A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 280nC |
Maximale Verlustleistung: | 375W |
Max. Kollektor-Strom: | 100A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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