IGW60T120FKSA1

Symbol Micros: TIGW60t120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;
Parameter
Gate-Ladung: 280nC
Maximale Verlustleistung: 375W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW60T120FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 6,4241 5,9148 5,6016 5,4439 5,3530
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 280nC
Maximale Verlustleistung: 375W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT