IGW60T120

Symbol Micros: TIGW60t120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT 1200V 100A 375W IGW60T120FKSA1

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Parameter
Gate-Ladung: 280nC
Maximale Verlustleistung: 375W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW60T120FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 6,3320 5,8300 5,5223 5,3673 5,2770
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 280nC
Maximale Verlustleistung: 375W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT