IGW75N60T

Symbol Micros: TIGW75n60t

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 150A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; IGW75N60TFKSA1

Parameter

Gate-Ladung:	470nC
Maximale Verlustleistung:	428W
Max. Kollektor-Strom:	150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW75N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

35 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	6,1732	5,1916	4,6031	4,3076	4,1432

Gate-Ladung:	470nC
Maximale Verlustleistung:	428W
Max. Kollektor-Strom:	150A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT