IHW15N120R3
Symbol Micros:
TIHW15n120r3
Gehäuse: TO247
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1
Parameter
Gate-Ladung: | 165nC |
Maximale Verlustleistung: | 254W |
Max. Kollektor-Strom: | 30A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,1V ~ 6,4V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 165nC |
Maximale Verlustleistung: | 254W |
Max. Kollektor-Strom: | 30A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,1V ~ 6,4V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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