IHW15N120R3

Name: TIHW15n120r3 TIHW15n120r3
Brand: Infineon
SKU: TIHW15n120r3
Price: 1.5859 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIHW15n120r3

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1

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Parameter

Gate-Ladung:	165nC
Maximale Verlustleistung:	254W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,1V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW15N120R3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	2,3800	1,8878	1,6762	1,6025	1,5859

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW15N120R3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

55 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5859

Gate-Ladung:	165nC
Maximale Verlustleistung:	254W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,1V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT