IHW20N135R3
Symbol Micros:
TIHW20n135r3
Gehäuse: TO247
40A; 1350V; 310W; IGBT w/ Diode
Parameter
Gate-Ladung: | 195nC |
Maximale Verlustleistung: | 310W |
Max. Kollektor-Strom: | 40A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,1V ~ 6,4V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 195nC |
Maximale Verlustleistung: | 310W |
Max. Kollektor-Strom: | 40A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,1V ~ 6,4V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1350V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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