IHW30N160R2

Symbol Micros: TIHW30n160r2

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 312W; 5,1V~6,4V; 94nC; -40°C~175°C; IHW30N160R2FKSA1

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Parameter

Gate-Ladung:	94nC
Maximale Verlustleistung:	312W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,1V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Gate-Ladung:	94nC
Maximale Verlustleistung:	312W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,1V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V