IKD04N60R

Name: TIKD04n60r TIKD04n60r
Brand: Infineon
SKU: TIKD04n60r
Price: 0.6176 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKD04n60r

Gehäuse: TO252 (DPACK)

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 8A; 12A; 75W; 4,3V~5,7V; 27nC; -40°C~175°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	27nC
Maximale Verlustleistung:	75W
Max. Kollektor-Strom:	8A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	12A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,3V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKD04N60R RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1741	0,8946	0,7420	0,6504	0,6176

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKD04N60RATMA1 Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

610 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6176

Gate-Ladung:	27nC
Maximale Verlustleistung:	75W
Max. Kollektor-Strom:	8A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	12A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,3V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	SMD