IKD04N60R
Symbol Micros:
TIKD04n60r
Gehäuse: TO252 (DPACK)
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode
Parameter
Gate-Ladung: | 27nC |
Maximale Verlustleistung: | 75W |
Max. Kollektor-Strom: | 8A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 12A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,3V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 27nC |
Maximale Verlustleistung: | 75W |
Max. Kollektor-Strom: | 8A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 12A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,3V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole