IKP15N60T
Symbol Micros:
TIKP15n60t
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
Parameter
Gate-Ladung: | 87nC |
Maximale Verlustleistung: | 130W |
Max. Kollektor-Strom: | 26A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKP15N60TXKSA1 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
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Nettopreis (EUR) | 2,0879 | 1,6045 | 1,3639 | 1,3336 | 1,3055 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKP15N60TXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1252 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,3055 |
Gate-Ladung: | 87nC |
Maximale Verlustleistung: | 130W |
Max. Kollektor-Strom: | 26A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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