IKP15N60T

Symbol Micros: TIKP15n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
Parameter
Gate-Ladung: 87nC
Maximale Verlustleistung: 130W
Max. Kollektor-Strom: 26A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKP15N60TXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0879 1,6045 1,3639 1,3336 1,3055
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKP15N60TXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1252 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3055
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 87nC
Maximale Verlustleistung: 130W
Max. Kollektor-Strom: 26A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT