IKP15N60T

Symbol Micros: TIKP15n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1
Parameter
Gate-Ladung: 87nC
Maximale Verlustleistung: 130W
Max. Kollektor-Strom: 26A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKP15N60TXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,0993 1,6132 1,3713 1,3408 1,3126
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Standard-Verpackung:
50/100
Gate-Ladung: 87nC
Maximale Verlustleistung: 130W
Max. Kollektor-Strom: 26A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

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