IKP20N60T

Symbol Micros: TIKP20n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKP20N60TXKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 166W
Max. Kollektor-Strom: 41A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKP20N60T RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,6226 2,1608 1,9239 1,8952 1,8737
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKP20N60TXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,8737
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 166W
Max. Kollektor-Strom: 41A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT