IKP20N60T
Symbol Micros:
TIKP20n60t
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKP20N60TXKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 166W |
Max. Kollektor-Strom: | 41A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKP20N60T RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,6226 | 2,1608 | 1,9239 | 1,8952 | 1,8737 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKP20N60TXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
70 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,8737 |
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 166W |
Max. Kollektor-Strom: | 41A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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