IKW15N120T2

Symbol Micros: TIKW15n120t2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1
Parameter
Gate-Ladung: 93nC
Maximale Verlustleistung: 235W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,2V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120T2 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 5,2740 4,6893 4,3371 4,1633 4,0577
Standard-Verpackung:
10
Gate-Ladung: 93nC
Maximale Verlustleistung: 235W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,2V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT