IKW15N120T2

Symbol Micros: TIKW15n120t2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW15N120T2FKSA1;

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Parameter
Gate-Ladung: 93nC
Maximale Verlustleistung: 235W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,2V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120T2FKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
122 stk.
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Nettopreis (EUR) 3,9752
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 93nC
Maximale Verlustleistung: 235W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,2V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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