IKW15N120T2

Symbol Micros: TIKW15n120t2

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 235W; 5,2V~6,4V; 93nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW15N120T2FKSA1;

Parameter

Gate-Ladung:	93nC
Maximale Verlustleistung:	235W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,2V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120T2 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	3,9181	3,4836	3,2219	3,0910	3,0139

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120T2FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

92 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,0139

Gate-Ladung:	93nC
Maximale Verlustleistung:	235W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,2V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT