IKW15T120

Symbol Micros: TIKW15t120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 110W; 5,0V~6,5V; 85nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW15T120FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 85nC
Maximale Verlustleistung: 110W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15T120FKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
65 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,0787
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 85nC
Maximale Verlustleistung: 110W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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