IKW20N60T
Symbol Micros:
TIKW20n60t
Gehäuse: TO247
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode
Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 166W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 166W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole