IKW20N60T
Symbol Micros:
TIKW20n60t
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW20N60TFKSA1;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 166W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW20N60TFKSA1 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,6220 | 3,0464 | 2,7001 | 2,5270 | 2,4310 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW20N60TFKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
150 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4310 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW20N60TFKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
147 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4310 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW20N60TFKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
427 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4310 |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 166W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole