IKW25N120H3

Name: TIKW25n120h3 TIKW25n120h3
Brand: Infineon
SKU: TIKW25n120h3
Price: 3.5073 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW25n120h3

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IKW25N120H3FKSA1

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Parameter

Gate-Ladung:	115nC
Maximale Verlustleistung:	326W
Max. Kollektor-Strom:	50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25N120H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	4,5602	4,0502	3,7460	3,5939	3,5073

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

2330 stk.

Anzahl Stück	240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,5073

Gate-Ladung:	115nC
Maximale Verlustleistung:	326W
Max. Kollektor-Strom:	50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT