IKW25N120H3
Symbol Micros:
TIKW25n120h3
Gehäuse: TO247
50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1
Parameter
| Gate-Ladung: | 115nC |
| Maximale Verlustleistung: | 326W |
| Max. Kollektor-Strom: | 50A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gate-Ladung: | 115nC |
| Maximale Verlustleistung: | 326W |
| Max. Kollektor-Strom: | 50A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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