IKW25N120T2
Symbol Micros:
TIKW25n120t2
Gehäuse: TO247
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode
Parameter
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 349W |
Max. Kollektor-Strom: | 50A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,2V ~ 6,4V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 349W |
Max. Kollektor-Strom: | 50A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,2V ~ 6,4V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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