IKW25N120T2

Name: TIKW25n120t2 TIKW25n120t2
Brand: Infineon
SKU: TIKW25n120t2
Price: 4.0614 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW25n120t2

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;

Parameter

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	349W
Max. Kollektor-Strom:	50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,2V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

6 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	6,0512	5,0890	4,5121	4,2225	4,0614

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

5783 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,0614

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

593 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,0614

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	349W
Max. Kollektor-Strom:	50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,2V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT