IKW25T120
Symbol Micros:
TIKW25t120
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 190W; 5,0V~6,5V; 155nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW25T120FKSA1 INFINEON;
Parameter
Gate-Ladung: | 155nC |
Maximale Verlustleistung: | 190W |
Max. Kollektor-Strom: | 50A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 75A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW25T120FKSA1 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 4,4454 | 3,9526 | 3,6554 | 3,5092 | 3,4196 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW25T120FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
180 stk.
Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,4196 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW25T120FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
168 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,5818 |
Gate-Ladung: | 155nC |
Maximale Verlustleistung: | 190W |
Max. Kollektor-Strom: | 50A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 75A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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