IKW30N60H3

Name: TIKW30n60h3 TIKW30n60h3
Brand: Infineon
SKU: TIKW30n60h3
Price: 1.8968 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW30n60h3

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW30N60H3FKSA1;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Gate-Ladung:	165nC
Maximale Verlustleistung:	187W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW30N60H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

41 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	2,6555	2,2833	2,0628	1,9561	1,8968

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW30N60H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

356 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8968

Gate-Ladung:	165nC
Maximale Verlustleistung:	187W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT