IKW30N60H3
Symbol Micros:
TIKW30n60h3
Gehäuse: TO247
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode
Parameter
| Gate-Ladung: | 165nC |
| Maximale Verlustleistung: | 187W |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-07-12
Anzahl Stück: 10
| Gate-Ladung: | 165nC |
| Maximale Verlustleistung: | 187W |
| Max. Kollektor-Strom: | 60A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole