IKW30N60T

Name: TIKW30n60t TIKW30n60t
Brand: Infineon
SKU: TIKW30n60t
Price: 3.6427 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW30n60t

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 45A; 90A; 187W; 4,1V~5,7V; 167nC; -40°C~175°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	167nC
Maximale Verlustleistung:	187W
Max. Kollektor-Strom:	45A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW30N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,4273	4,5658	4,0451	3,7871	3,6427

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW30N60TFKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

735 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,6427

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW30N60TFKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

480 stk.

Anzahl Stück	240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,6427

Gate-Ladung:	167nC
Maximale Verlustleistung:	187W
Max. Kollektor-Strom:	45A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT