IKW30N60T

Symbol Micros: TIKW30n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode
Parameter
Gate-Ladung: 167nC
Maximale Verlustleistung: 187W
Max. Kollektor-Strom: 45A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW30N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 5,3844 4,5297 4,0131 3,7571 3,6139
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 167nC
Maximale Verlustleistung: 187W
Max. Kollektor-Strom: 45A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole