IKW40N120H3
Symbol Micros:
TIKW40n120h3
Gehäuse: TO247
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode
Parameter
Gate-Ladung: | 185nC |
Maximale Verlustleistung: | 483W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 185nC |
Maximale Verlustleistung: | 483W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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