IKW40N120H3

Symbol Micros: TIKW40n120h3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N120H3FKSA1;

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Parameter
Gate-Ladung: 185nC
Maximale Verlustleistung: 483W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 5,5694 5,1291 4,8569 4,7196 4,6415
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Standard-Verpackung:
30/90
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
128 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 7,0473
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 185nC
Maximale Verlustleistung: 483W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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