IKW40N65H5FKSA1

Symbol Micros: TIKW40n65h5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W
Parameter
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N65H5 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 15+ 30+ 150+
Nettopreis (EUR) 4,8255 3,9426 3,5293 3,4025 3,2382
Standard-Verpackung:
15
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT