IKW40N65H5FKSA1

Symbol Micros: TIKW40n65h5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N65H5AXKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N65H5 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 15+ 30+ 150+
Nettopreis (EUR) 4,9170 4,0173 3,5962 3,4670 3,2995
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Standard-Verpackung:
15
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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