IKW40N65H5FKSA1

Symbol Micros: TIKW40n65h5

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N65H5AXKSA1;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Gate-Ladung:	95nC
Maximale Verlustleistung:	250W
Max. Kollektor-Strom:	74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,2V ~ 4,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N65H5 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	4+	15+	30+	150+
Nettopreis (EUR)	4,8110	3,9307	3,5187	3,3923	3,2284

Gate-Ladung:	95nC
Maximale Verlustleistung:	250W
Max. Kollektor-Strom:	74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,2V ~ 4,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	650V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT