IKW40N65H5FKSA1

Symbol Micros: TIKW40n65h5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N65H5AXKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N65H5 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 15+ 30+ 150+
Nettopreis (EUR) 4,8140 3,9332 3,5209 3,3944 3,2304
Standard-Verpackung:
15
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N65H5FKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
211 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,2304
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N65H5FKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
370 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,2304
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 74A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT