IKW40T120

Symbol Micros: TIKW40t120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 105A; 270W; 5,0V~6,5V; 203nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW40T120FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 203nC
Maximale Verlustleistung: 270W
Max. Kollektor-Strom: 75A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 105A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40T120FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 8,5036 7,2116 6,4196 6,0152 5,7855
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Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 203nC
Maximale Verlustleistung: 270W
Max. Kollektor-Strom: 75A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 105A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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