IKW40T120

Symbol Micros: TIKW40t120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1
Parameter
Gate-Ladung: 203nC
Maximale Verlustleistung: 270W
Max. Kollektor-Strom: 75A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 105A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40T120FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
28 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 8,3455 7,0774 6,3002 5,9033 5,6779
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 203nC
Maximale Verlustleistung: 270W
Max. Kollektor-Strom: 75A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 105A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT