IKW50N60H3
Symbol Micros:
TIKW50n60h3
Gehäuse: TO247
100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode
Parameter
| Gate-Ladung: | 315nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom: | 100A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gate-Ladung: | 315nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom: | 100A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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