IKW50N60H3
Symbol Micros:
TIKW50n60h3
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60H3FKSA1;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 315nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom: | 100A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW50N60H3 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0723 | 2,7297 | 2,5245 | 2,4220 | 2,3637 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW50N60H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
155 stk.
| Anzahl Stück | 240+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,1555 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW50N60H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
26 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,8316 |
| Gate-Ladung: | 315nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom: | 100A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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