IKW50N60H3

Symbol Micros: TIKW50n60h3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60H3FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 315nC
Maximale Verlustleistung: 333W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N60H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,2754 2,8157 2,5441 2,4131 2,3393
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N60H3FKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
11 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,8289
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 315nC
Maximale Verlustleistung: 333W
Max. Kollektor-Strom: 100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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