IKW50N60T
Symbol Micros:
TIKW50n60t
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 150A; 333W; 4,1V~5,7V; 310nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60TFKSA1; IKW50N60TAFKSA1;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 310nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gate-Ladung: | 310nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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