IKW50N60T

Symbol Micros: TIKW50n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 150A; 333W; 4,1V~5,7V; 310nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60TFKSA1; IKW50N60TAFKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 310nC
Maximale Verlustleistung: 333W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N60T RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 6,0511 5,0940 4,5198 4,2327 4,0604
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N60T RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 90+ 180+
Nettopreis (EUR) 6,0511 4,8356 4,2781 4,1226 4,0604
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Standard-Verpackung:
30/90
Gate-Ladung: 310nC
Maximale Verlustleistung: 333W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

Symbol Micros

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