IKW50N60T

Name: TIKW50n60t TIKW50n60t
Brand: Infineon
SKU: TIKW50n60t
Price: 3.9074 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW50n60t

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 150A; 333W; 4,1V~5,7V; 310nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60TFKSA1; IKW50N60TAFKSA1;

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Parameter

Gate-Ladung:	310nC
Maximale Verlustleistung:	333W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N60T RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	5,8232	4,9021	4,3495	4,0732	3,9074

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N60T RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	90+	180+
Nettopreis (EUR)	5,8232	4,6535	4,1170	3,9673	3,9074

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N60TFKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

167 stk.

Anzahl Stück	1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	3,9074

Gate-Ladung:	310nC
Maximale Verlustleistung:	333W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V