IKW50N65H5
Symbol Micros:
TIKW50n65h5
Gehäuse: TO247
80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode
Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 305W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 305W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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