IKW50N65H5

Name: TIKW50n65h5 TIKW50n65h5
Brand: Infineon
SKU: TIKW50n65h5
Price: 3.6011 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW50n65h5

Gehäuse: TO247

Trans IGBT; 600V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N65H5FKSA1;

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Parameter

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	305W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,2V ~ 4,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N65H5FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

101 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,3654	4,5137	3,9989	3,7438	3,6011

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	305W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,2V ~ 4,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT