IKW75N60T

Symbol Micros: TIKW75n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW75N60TFKSA1;

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Parameter
Gate-Ladung: 470nC
Maximale Verlustleistung: 428W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
Nettopreis (EUR) 7,7502 6,2334 5,5161 5,3731 5,2723
Standard-Verpackung:
30/60
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
591 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 5,2723
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 5,7630
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 470nC
Maximale Verlustleistung: 428W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT