IKW75N60T

Name: TIKW75n60t TIKW75n60t
Brand: Infineon
SKU: TIKW75n60t
Price: 4.1805 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW75n60t

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW75N60TFKSA1;

Parameter

Gate-Ladung:	470nC
Maximale Verlustleistung:	428W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW75N60T RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,0171	4,6197	4,3757	4,2526	4,1805

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

8 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	60+	120+
Nettopreis (EUR)	5,0171	4,5058	4,2642	4,2154	4,1805

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	5,7154

Gate-Ladung:	470nC
Maximale Verlustleistung:	428W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT