IKW75N60T

Symbol Micros: TIKW75n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode
Parameter
Gate-Ladung: 470nC
Maximale Verlustleistung: 428W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
31 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
Nettopreis (EUR) 7,7631 6,2438 5,5253 5,3821 5,2811
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Standard-Verpackung:
30/60
Gate-Ladung: 470nC
Maximale Verlustleistung: 428W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 225A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

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