IKW75N60T
Symbol Micros:
TIKW75n60t
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 225A; 428W; 4,1V~5,7V; 470nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW75N60TFKSA1;
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Parameter
Gate-Ladung: | 470nC |
Maximale Verlustleistung: | 428W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 225A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
18 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 120+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 7,6054 | 6,1170 | 5,4131 | 5,2727 | 5,1738 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
621 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 5,1738 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW75N60TFKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 5+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 5,7402 |
Gate-Ladung: | 470nC |
Maximale Verlustleistung: | 428W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 225A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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