IKWH100N65EH

Symbol Micros: TIKWH100N65EH

Gehäuse: TO247

Transistor IGBT; 160; 650V; 20V; 199nC; 140A; 427W; -40°C~175°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	199nC
Maximale Verlustleistung:	427W
Max. Kollektor-Strom:	140A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	400A
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	INFINEON
Kollektor-Emitter-Spannung:	650V

Gate-Ladung:	199nC
Maximale Verlustleistung:	427W
Max. Kollektor-Strom:	140A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	400A
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	INFINEON
Kollektor-Emitter-Spannung:	650V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT