IKWH40N65EH7
Symbol Micros:
TIKWH40N65EH7
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT; 650V; 20V; 81nC; 80A; 208W; -40°C~175°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 81nC |
| Maximale Verlustleistung: | 208W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Gate-Ladung: | 81nC |
| Maximale Verlustleistung: | 208W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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