IKWH75N65EH7
Symbol Micros:
TIKWH75N65EH7
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: | 150nC |
Maximale Verlustleistung: | 341W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 300A |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | INFINEON |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Gate-Ladung: | 150nC |
Maximale Verlustleistung: | 341W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 300A |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | INFINEON |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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