IKWH75N65EH7

Symbol Micros: TIKWH75N65EH7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT; 650V; 20V; 150nC; 80A; 341W; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 341W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 300A
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 341W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 300A
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT