TIP42C HXY MOSFET

Symbol Micros: TTIP42c HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor PNP; 75; 2W; 100V; 6A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 75; 2W; 100V; 6A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 75
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: TIP42C RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
250 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4325 0,2623 0,2011 0,1813 0,1725
Standard-Verpackung:
50/200
Verlustleistung: 2W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 75
Hersteller: HXY MOSFET
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 6A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP