IPA057N06N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPA057n06n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,7 mOhm; 60A; 38W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,7mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA057N06N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5282 1,1650 0,9646 0,8466 0,8042
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 5,7mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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