IPA50R800CEXKSA2
Symbol Micros:
TIPA50r800ce
Gehäuse: TO220FP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 1,87 Ohm; 7,6A; 26,4 W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SP001217234;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,87Ohm |
| Max. Drainstrom: | 7,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 26,4W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA50R800CEXKSA2
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
3500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2331 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA50R800CEXKSA2
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2428 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,87Ohm |
| Max. Drainstrom: | 7,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 26,4W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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