IPA60R060C7XKSA1

Symbol Micros: TIPA60r060c7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R060C7XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
4 stk.
Anzahl Stück 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
Nettopreis (EUR) 6,2863 5,1631 4,5466 4,4042 4,2757
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Standard-Verpackung:
4
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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