IPA60R280E6XKSA1

Symbol Micros: TIPA60r280e6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 32W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 660mOhm
Max. Drainstrom: 13,8A
Maximaler Leistungsverlust: 32W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R280E6XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
33 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9779 1,5763 1,3497 1,2120 1,1629
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 660mOhm
Max. Drainstrom: 13,8A
Maximaler Leistungsverlust: 32W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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