IPA60R380P6

Symbol Micros: TIPA60r380p6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; IPA60R380P6XKSA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 889mOhm
Max. Drainstrom: 10,6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R380P6XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,2023 1,7932 1,5571 1,4425 1,3770
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 889mOhm
Max. Drainstrom: 10,6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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