IPB042N10N3G Infineon

Symbol Micros: TIPB042n10n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263/3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,4 mOhm; 137A; 214 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB042N10N3GATMA1; IPB042N10N3GE8187ATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,4mOhm
Max. Drainstrom: 137A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO263/3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB042N10N3GATMA1 Gehäuse: TO263/3  
Externes Lager:
107000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6650
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB042N10N3GATMA1 Gehäuse: TO263/3  
Externes Lager:
14000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6629
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,4mOhm
Max. Drainstrom: 137A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO263/3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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