IPB072N15N3G Infineon
Symbol Micros:
TIPB072n15n3g
Gehäuse: TO263/3
N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263/3 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263/3 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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