IPB090N06N3G INFINEON

Symbol Micros: TIPB090n06n3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263/3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,3 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB090N06N3GATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,3mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO263/3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB090N06N3G RoHS Gehäuse: TO263/3 Datenblatt
Auf Lager:
126 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8710 0,5511 0,4343 0,3970 0,3783
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB090N06N3GATMA1 Gehäuse: TO263/3  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3783
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB090N06N3GATMA1 Gehäuse: TO263/3  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3783
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9,3mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO263/3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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