IPB107N20N3G INFINEON

Symbol Micros: TIPB107n20n3g
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Gehäuse: TO263/3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB107N20N3GATMA1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 88A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO263/3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB107N20N3G RoHS Gehäuse: TO263/3 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,1614 3,5773 3,3506 3,2291 3,2011
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 88A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO263/3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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