IPD090N03LG Infineon

Name: TIPD090n03lg TIPD090n03lg
Brand: Infineon
SKU: TIPD090n03lg
Price: 0.1751 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIPD090n03lg

Gehäuse: TO252/3 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13,5 mOhm; 40A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD090N03LGATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	13,5mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD090N03LG RoHS Gehäuse: TO252/3 (DPAK) Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4390	0,2662	0,2041	0,1840	0,1751

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD090N03LGATMA1 Gehäuse: TO252/3 (DPAK)

Externes Lager:

7564 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1751

Widerstand im offenen Kanal:	13,5mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	42W
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD