IPD30N06S2L23ATMA3

Symbol Micros: TIPD30n06s2l23
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Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 23mOhm; 30A; 100 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD30N06S2L23ATMA3 Gehäuse: DPAK  
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Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3771
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2500
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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