IPD50P04P4L11ATMA2
Symbol Micros:
TIPD50p04p4l11
Gehäuse: DPAK
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 10,6 mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Äquivalent: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 58W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPD50P04P4L11ATMA2
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4368 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 58W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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