IPD50R500CE INFINEON

Symbol Micros: TIPD50r500ce

Gehäuse: TO252/3 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 1,18 Ohm; 7,6A; 57W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD50R500CEATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,18Ohm
Max. Drainstrom:	7,6A
Maximaler Leistungsverlust:	57W
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	550V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD50R500CEAUMA1 Gehäuse: TO252/3 (DPAK)

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2532

Widerstand im offenen Kanal:	1,18Ohm
Max. Drainstrom:	7,6A
Maximaler Leistungsverlust:	57W
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	550V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD