IPD60R1K5PFD7S

Symbol Micros: TIPD60r1k5pfd7s

Gehäuse: DPAK

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 2,892 Ohm; 3,6A; 22W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R1K5PFD7SAUMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,892Ohm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	22W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2386

Widerstand im offenen Kanal:	2,892Ohm
Max. Drainstrom:	3,6A
Maximaler Leistungsverlust:	22W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD