IPD60R280CFD7ATMA1

Symbol Micros: TIPD60r280cfd7
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Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 280 mOhm; 9A; 51W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 51W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD60R280CFD7ATMA1 Gehäuse: TO252/3 (DPAK)  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7844
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 51W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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