IPD60R2K0C6ATMA1
Symbol Micros:
TIPD60r2k0c6
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 4,68 Ohm; 2,4A; 22,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R2K0C6BTMA1; SP001117714;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,68Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 22,3W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPD60R2K0C6ATMA1
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2502 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,68Ohm |
| Max. Drainstrom: | 2,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 22,3W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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