IPD60R360PFD7S

Symbol Micros: TIPD60r360pfd7s
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Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 715 mOhm; 10A; 43W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R360PFD7SAUMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 715mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD60R360PFD7SAUMA1 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4189
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 715mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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