IPD60R3K3C6 Infineon Tech

Symbol Micros: TIPD60r3k3c6

Gehäuse: TO252

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 7,72 Ohm; 1,7A; 18,1W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,72Ohm
Max. Drainstrom:	1,7A
Maximaler Leistungsverlust:	18,1W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD60R3K3C6ATMA1 Gehäuse: TO252

Externes Lager:

5000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2218

Widerstand im offenen Kanal:	7,72Ohm
Max. Drainstrom:	1,7A
Maximaler Leistungsverlust:	18,1W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD