IDP78CN10NG TO252-3

Symbol Micros: TIPD78cn10n
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Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
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N-MOSFET 100V 13A 31W 78mΩ

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD78CN10NGATMA1 RoHS Gehäuse: TO252/3 (DPAK) Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6406 0,4021 0,3343 0,2969 0,2782
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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