IPD90N03S4L03ATMA1

Symbol Micros: TIPD90n03s4l03
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 3,3 mOhm; 90A; 94W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD90N03S4L03ATMA1 Gehäuse: DPAK  
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Nettopreis (EUR) 0,5756
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C

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