IPD90P04P4L-04

Symbol Micros: TIPD90p04p4l04

Gehäuse: TO252 (DPACK)

P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 16V; 6,6 mOhm; 90A; 125 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD90P04P4L04ATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,6mOhm
Max. Drainstrom:	90A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD90P04P4L-04 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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15 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,0106	1,5973	1,4432	1,3661	1,3404

Widerstand im offenen Kanal:	6,6mOhm
Max. Drainstrom:	90A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	16V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD