IPD90R1K2C3 INFINEON

Symbol Micros: TIPD90r1k2c3

Gehäuse: TO252

N-MOSFET 900V 5.1A 83W 1.2Ω

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	5,1A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	5,1A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Montage:	SMD